RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
59
Por volta de 12% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
59
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
9.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2179
2181
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link