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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

总分
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

总分
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    52 left arrow 59
    左右 12% 更低的延时
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB 需要考虑的原因
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.2 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.7 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 12800
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    52 left arrow 59
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 17.2
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 9.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2179 left arrow 2181

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较

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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
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内存RAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
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内存RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
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AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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