RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
44
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
19
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3314
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link