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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
44
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
19
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3314
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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