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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
44
左右 -132% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
19
读取速度,GB/s
11.2
19.4
写入速度,GB/s
8.1
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3314
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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