RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
44
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
19
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3314
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link