RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
44
Por volta de -110% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
21
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3042
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link