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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
44
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
21
读取速度,GB/s
11.2
17.7
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3042
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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