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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
総合得点
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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考慮すべき理由
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
44
周辺 -110% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
11.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
21
読み出し速度、GB/s
11.2
17.7
書き込み速度、GB/秒
8.1
13.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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