RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
44
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
18.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3847
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB Comparações de RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link