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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
47
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
31
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
2813
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
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