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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
47
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2169
3026
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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