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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
10.4
16.0
写入速度,GB/s
7.8
10.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3026
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
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