RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
54
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3106
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link