RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
54
Por volta de -116% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
25
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3651
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link