RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
54
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
29
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3199
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link