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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
54
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
24
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3045
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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