RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3045
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link