RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
54
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
44
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
10.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2374
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link