Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Pontuação geral
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Pontuação geral
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    44 left arrow 54
    Por volta de -23% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    10.6 left arrow 9.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.8 left arrow 8.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 12800
    Por volta de 1.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    54 left arrow 44
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.2 left arrow 10.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.1 left arrow 8.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2105 left arrow 2374
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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