RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
54
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
44
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2374
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link