RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
54
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
1997
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link