RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
54
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
11.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
1997
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link