RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
54
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
48
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2568
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link