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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
48
54
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.7
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
48
读取速度,GB/s
9.2
11.7
写入速度,GB/s
8.1
10.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2568
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
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