RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
54
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
33
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2876
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link