RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
54
Por volta de -145% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
22
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
18.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
4324
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4A
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link