RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
54
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
36
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2657
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link