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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
54
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
36
读取速度,GB/s
9.2
15.0
写入速度,GB/s
8.1
10.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2657
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
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