RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
54
Por volta de -135% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
23
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2726
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link