RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
63
74
Por volta de 15% menor latência
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
74
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
1779
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link