RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
74
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
74
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
1779
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link