RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
63
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
38
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
3147
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link