RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
63
Por volta de -66% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
38
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
9.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
2073
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Relatar um erro
×
Bug description
Source link