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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Comparar
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
66
Por volta de -128% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
7.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
29
Velocidade de leitura, GB/s
7.3
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
13.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1760
3384
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
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