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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Comparar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
51
Por volta de -82% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
15.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2049
3394
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparações de RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
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