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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
49
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
45
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
2190
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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