RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
49
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.0
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2116
2190
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link