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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
90
Por volta de 70% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
90
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
7.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
1546
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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