RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
42
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2513
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link