RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
77
Por volta de -148% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
9.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2554
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link