RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
73
Por volta de 42% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
73
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1744
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link