RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
73
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
73
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1744
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link