RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
73
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
73
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1744
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link