RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
42
Por volta de -83% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
2561
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link