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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
10.6
16.6
写入速度,GB/s
9.0
12.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2561
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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