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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
104
左右 -333% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
24
读取速度,GB/s
3,192.0
15.5
写入速度,GB/s
2,404.5
9.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2479
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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