RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
104
Por volta de -206% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
11.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2917
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link