RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
104
Por volta de -316% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
19.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
14.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3683
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link