RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
104
Por volta de -271% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
11.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2466
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link