RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
104
Por volta de -373% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
13.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3066
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link