RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
22.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
16
104
Por volta de -550% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
16
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
22.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
17.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3834
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link