RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
104
Por volta de -206% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
13.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3043
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link